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SSM6J206FE(TE85L,F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM6J206FE(TE85L,F
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 4V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket ES6 (1.6x1.6)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 335pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V

Auf Lager 67 pcs

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