Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SSM6H19NU,LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SSM6H19NU,LF |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 185mOhm @ 1A, 8V |
| Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-UDFN (2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.2nC @ 4.2V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 130pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.10 | $0.10 | $0.10 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
