SSM3J35CT,L3F
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SSM3J35CT,L3F |
Beschreibung: | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | π-MOSVI |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
Verlustleistung (Max.) | 100mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | CST3 |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 12.2pF @ 3V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
Auf Lager 8735 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.34 | $0.33 | $0.33 |
Minimale: 1