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SSM3J35CT,L3F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3J35CT,L3F
Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8Ohm @ 50mA, 4V
Verlustleistung (Max.) 100mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket CST3
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 12.2pF @ 3V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4V

Auf Lager 8735 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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