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SSM3J307T(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3J307T(TE85L,F)
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSV
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 31mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSM
Gate Charge (Qg) (Max.) 19nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1170pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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