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SSM3J15FV,L3F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3J15FV,L3F
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id 1.7V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 4V
Verlustleistung (Max.) 150mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket VESM
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 9.1pF @ 3V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V

Auf Lager 16000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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