Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

RN2702TE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: RN2702TE85LF
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket USV
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FMG9AT248
ROHM Semiconductor
$0
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0
PBLS4004V,115
NXP USA Inc.
$0
PBLS4002V,115
NXP USA Inc.
$0