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RN2106ACT(TPL3)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN2106ACT(TPL3)
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket CST3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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