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RN2106,LF(CT
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | RN2106,LF(CT |
| Beschreibung: | PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KOHM |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | * |
| Teilstatus | Active |
Auf Lager 89 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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