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RN1962FE(TE85L,F)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | RN1962FE(TE85L,F) |
| Beschreibung: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 100mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | ES6 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 10kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 50 @ 10mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 3850 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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