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RN1711JE(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: RN1711JE(TE85L,F)
Beschreibung: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie *
Teilstatus Active

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