Image is for reference only , details as Specifications

RN1502(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: RN1502(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74A, SOT-753
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMV
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RN2961(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN4608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2962(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0