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RN1442ATE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN1442ATE85LF
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Frequenz - Übergang 30MHz
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Vce Sättigung (Max.) 100mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 300mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 4mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 20V

Auf Lager 2439 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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