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RN1427TE85LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | RN1427TE85LF |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Basis-Teilenummer | RN142* |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 300MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | S-Mini |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 10 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 800mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 90 @ 100mA, 1V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 73 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.11 | $0.11 | $0.11 |
Minimale: 1
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