Image is for reference only , details as Specifications

RN1412TE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN1412TE85LF
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PDTD114ETR
Nexperia USA Inc.
$0
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
$0
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
$0
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.
$0
DTC124XU3HZGT106
ROHM Semiconductor
$0