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RN1404S,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN1404S,LF
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer RN140*
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 1040 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.23 $0.23 $0.22
Minimale: 1

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