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RN1130MFV,L3F
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | RN1130MFV,L3F |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | VESM |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 100 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 10mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 72 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Minimale: 1
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