Image is for reference only , details as Specifications

RN1101,LF(CT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: RN1101,LF(CT
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SSM
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4.7 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PDTA124EQAZ
Nexperia USA Inc.
$0.04
PDTA123JQAZ
Nexperia USA Inc.
$0.04
PDTA114YQAZ
Nexperia USA Inc.
$0.04
DDTA124TCA-7-F
Diodes Incorporated
$0
DDTA124GCA-7-F
Diodes Incorporated
$0