MT3S20TU(TE85L)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Datenblatt: | MT3S20TU(TE85L) |
Beschreibung: | RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Gewinnen | 12dB |
Serie | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 900mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
Transistortyp | NPN |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Lieferanten-Gerätepaket | UFM |
Rauschfigur (dB-Typ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 80mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 50mA, 5V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 12V |
Auf Lager 3000 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1