Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MT3S111TU,LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt: | MT3S111TU,LF |
| Beschreibung: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Gewinnen | 12.5dB |
| Serie | - |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 800mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Transistortyp | NPN |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | UFM |
| Rauschfigur (dB-Typ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 200 @ 30mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 6V |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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