Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

HN4C51J(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN4C51J(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74A, SOT-753
Transistortyp 2 NPN (Dual) Common Base
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket SMV
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 1447 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
$0
NST45011MW6T1G
ON Semiconductor
$0
MMDT5551-TP
Micro Commercial Co
$0
DMA204030R
Panasonic Electronic Components
$0
SMUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
$0