Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
HN4A51JTE85LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt: | HN4A51JTE85LF |
| Beschreibung: | TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Serie | - |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | SMV |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 200 @ 2mA, 6V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 120V |
Auf Lager 5990 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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