HN3C51F-GR(TE85L,F
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Datenblatt: | HN3C51F-GR(TE85L,F |
Beschreibung: | TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Serie | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 300mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | SM6 |
Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 200 @ 2mA, 6V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 120V |
Auf Lager 93 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1