Image is for reference only , details as Specifications

HN3A51F(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN3A51F(TE85L,F)
Beschreibung: TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket SM6
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PIMT1,115
Nexperia USA Inc.
$0
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
MMPQ3904 TR13
Central Semiconductor Corp
$0
ZXT12N20DXTA
Diodes Incorporated
$0
BCM856BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
$0