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HN2D01JE(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: HN2D01JE(TE85L,F)
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-553
Diodenkonfiguration 2 Independent
Lieferanten-Gerätepaket ESV
Reverse Recovery Time (trr) 1.6ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 500nA @ 80V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.2V @ 100mA
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 100mA

Auf Lager 3047 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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