Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

HN1C01F-GR(TE85L,F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: HN1C01F-GR(TE85L,F
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Transistortyp 2 NPN (Dual)
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 800MHz
Lieferanten-Gerätepaket SM6
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SN75468DE4
NA
$0.41
ZXTD2090E6TA
Diodes Incorporated
$0.37
ZXTD6717E6QTA
Diodes Incorporated
$0.37
ZTD09N50DE6QTA
Diodes Incorporated
$0.37
ULN2003AING4
NA
$0.35