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CMG06(TE12L,Q,M)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | CMG06(TE12L,Q,M) |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-128 |
| Kapazität - Vr, F | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | M-FLAT (2.4x3.8) |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 10µA @ 600V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 1A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.1V @ 1A |
Auf Lager 67 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.11 | $0.11 | $0.11 |
Minimale: 1
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