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BAS516,H3F
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | BAS516,H3F |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-79, SOD-523 |
| Kapazität - Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | ESC |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 200nA @ 80V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 250mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 150°C (Max) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.25V @ 150mA |
Auf Lager 90 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Minimale: 1
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