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6N139(F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: 6N139(F)
Beschreibung: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Darlington with Base
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Teilenummer 6N139
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 2500Vrms
Vce Sättigung (Max.) -
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) -
Spannung - Ausgang (Max) 18V
Lieferanten-Gerätepaket 8-DIP
Strom - Ausgang / Kanal 60mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 500% @ 1.6mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.65V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) 200ns, 1µs
Strom - DC Forward (If) (Max) 20mA

Auf Lager 1 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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