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4N35(SHORT,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: 4N35(SHORT,F)
Beschreibung: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Transistor with Base
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Teilenummer 4N35
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 2500Vrms
Vce Sättigung (Max.) 300mV
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) -
Spannung - Ausgang (Max) 30V
Lieferanten-Gerätepaket 6-DIP
Strom - Ausgang / Kanal 100mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 40% @ 10mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) 3µs, 3µs
Strom - DC Forward (If) (Max) 60mA

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.60 $0.59 $0.58
Minimale: 1

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