4N32(SHORT,F)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
Datenblatt: | 4N32(SHORT,F) |
Beschreibung: | OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Basis-Teilenummer | 4N32 |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolierung | 2500Vrms |
Vce Sättigung (Max.) | 1V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) | - |
Spannung - Ausgang (Max) | 30V |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-DIP |
Strom - Ausgang / Kanal | 100mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) | - |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) | 500% @ 10mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.15V |
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) | 5µs, 100µs (Max) |
Strom - DC Forward (If) (Max) | 80mA |
Auf Lager 66 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1