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4N32(SHORT,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: 4N32(SHORT,F)
Beschreibung: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Darlington with Base
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Teilenummer 4N32
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 2500Vrms
Vce Sättigung (Max.) 1V
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) -
Spannung - Ausgang (Max) 30V
Lieferanten-Gerätepaket 6-DIP
Strom - Ausgang / Kanal 100mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 500% @ 10mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) 5µs, 100µs (Max)
Strom - DC Forward (If) (Max) 80mA

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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