Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

2SK879-GR(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - JFETs
Datenblatt: 2SK879-GR(TE85L,F)
Beschreibung: JFET N-CH 0.1W USM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - JFETs
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket USM
Spannung - Cutoff (VGS aus) 400mV @ 100nA
Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) 2.6mA @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 8.2pF @ 10V

Auf Lager 2871 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MMBFJ108
ON Semiconductor
$0
IKD15N60RATMA1
Infineon Technologies
$2.29
NSVJ6904DSB6T1G
ON Semiconductor
$0.89
IGB50N60TATMA1
Infineon Technologies
$0
SMMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
$0.21