2SK2719(F)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | 2SK2719(F) |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 125W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P(N) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 25nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 750pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 84 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1