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2SJ668(TE16L1,NQ)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
| Beschreibung: | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSIII |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 170mOhm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 20W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PW-MOLD |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 15nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 700pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Auf Lager 64 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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