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2SJ360(F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SJ360(F)
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 730mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PW-MINI
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 155pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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