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2SD2406-Y(F)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | 2SD2406-Y(F) |
| Beschreibung: | TRANS NPN 80V 4A TO220NIS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 25W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Transistortyp | NPN |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 8MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220NIS |
| Vce Sättigung (Max.) | 1.5V @ 300mA, 3A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 4A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 30µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 120 @ 500mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 80V |
Auf Lager 50 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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