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2SC4793,F(J

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SC4793,F(J
Beschreibung: TRANS NPN 1A 230V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220NIS
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 100mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 230V

Auf Lager 71 pcs

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