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2SC4213BTE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SC4213BTE85LF
Beschreibung: TRANS NPN 20V 0.3A USM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 30MHz
Lieferanten-Gerätepaket USM
Vce Sättigung (Max.) 100mV @ 3mA, 30A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 300mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 350 @ 4mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 20V

Auf Lager 7245 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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