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2SC2229-Y(T6ONK1FM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SC2229-Y(T6ONK1FM
Beschreibung: TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 800mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 120MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92MOD
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 150V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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