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2SB906-Y(TE16L1,NQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SB906-Y(TE16L1,NQ
Beschreibung: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 9MHz
Lieferanten-Gerätepaket PW-MOLD
Vce Sättigung (Max.) 1.7V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 500mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 1981 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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