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2SA1962-O(Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1962-O(Q)
Beschreibung: TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 130W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer 2SA1962
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 30MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P(N)
Vce Sättigung (Max.) 3V @ 800mA, 8A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 15A
Strom - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 1A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 230V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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