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2SA1955FVBTPL3Z

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1955FVBTPL3Z
Beschreibung: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 130MHz
Lieferanten-Gerätepaket VESM
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 400mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 300 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 10815 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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