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2SA1721RTE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1721RTE85LF
Beschreibung: TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 50MHz
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 20mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 300V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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