Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

2SA1680,T6SCMDF(J

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1680,T6SCMDF(J
Beschreibung: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 900mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92MOD
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 100mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0