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2SA1587-GR,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1587-GR,LF
Beschreibung: TRANS PNP 120V 0.1A USM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket USM
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 23515 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.24 $0.24 $0.23
Minimale: 1

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