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2SA1020-Y(T6OMI,FM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1020-Y(T6OMI,FM
Beschreibung: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 900mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92MOD
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 68 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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