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1SS226,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: 1SS226,LF
Beschreibung: PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie -
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 500nA @ 80V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Betriebstemperatur - Kreuzung 125°C (Max)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.2V @ 100mA
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 100mA

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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