1SS226,LF
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Datenblatt: | 1SS226,LF |
Beschreibung: | PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Lieferanten-Gerätepaket | S-Mini |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 500nA @ 80V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | 125°C (Max) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.2V @ 100mA |
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 100mA |
Auf Lager 53 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.04 | $0.04 | $0.04 |
Minimale: 1