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TH58NVG2S3HBAI6

Hersteller: Toshiba Memory
Produktkategorie: USB Flash Drives
Datenblatt: TH58NVG2S3HBAI6
Beschreibung: NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Rohs Details
Marke Toshiba Memory
Verpackung Tray
Speichergröße 4 Gbit
Speichertyp NAND
Unterkategorie Memory & Data Storage
Hersteller Toshiba
Organisation 512 M x 8
Produkttyp NAND Flash
Datenbusbreite 8 bit
Schnittstellentyp Parallel
Montagestil SMD/SMT
Paket / Fall VFBGA-67
Produktkategorie NAND Flash
Feuchtigkeitsempfindlich Yes
Versorgungsspannung - Max 3.6 V
Versorgungsspannung - Min 2.7 V
Fabrikpack-Menge 210
Maximale Betriebstemperatur + 85 C
Minimale Betriebstemperatur - 40 C

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.10 $4.02 $3.94
Minimale: 1

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