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TC58NYG2S3EBAI5
| Hersteller: | Toshiba Memory |
|---|---|
| Produktkategorie: | USB Flash Drives |
| Datenblatt: | TC58NYG2S3EBAI5 |
| Beschreibung: | NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Marke | Toshiba Memory |
| Geschwindigkeit | 25 ns |
| Produkt | NAND Flash |
| Verpackung | Tray |
| Speichergröße | 4 Gbit |
| Speichertyp | NAND |
| Unterkategorie | Memory & Data Storage |
| Timing-Typ | Synchronous |
| Architektur | Block Erase |
| Hersteller | Toshiba |
| Organisation | 512 M x 8 |
| Produkttyp | NAND Flash |
| Datenbusbreite | 8 bit |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Montagestil | SMD/SMT |
| Paket / Fall | TFBGA-63 |
| Produktkategorie | NAND Flash |
| Feuchtigkeitsempfindlich | Yes |
| Versorgungsstrom - Max | 30 mA |
| Versorgungsspannung - Max | 1.95 V |
| Versorgungsspannung - Min | 1.7 V |
| Fabrikpack-Menge | 180 |
| Maximale Taktfrequenz | - |
| Maximale Betriebstemperatur | + 85 C |
| Minimale Betriebstemperatur | - 40 C |
Auf Lager 50 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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