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TC58BYG1S3HBAI4

Hersteller: Toshiba Memory
Produktkategorie: USB Flash Drives
Datenblatt: TC58BYG1S3HBAI4
Beschreibung: NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Rohs Details
Marke Toshiba Memory
Geschwindigkeit 25 ns
Produkt NAND Flash
Verpackung Tray
Speichergröße 2 Gbit
Speichertyp NAND
Unterkategorie Memory & Data Storage
Timing-Typ Synchronous
Architektur Block Erase
Hersteller Toshiba
Organisation 256 M x 8
Produkttyp NAND Flash
Datenbusbreite 8 bit
Schnittstellentyp Parallel
Montagestil SMD/SMT
Paket / Fall TFBGA-63
Produktkategorie NAND Flash
Feuchtigkeitsempfindlich Yes
Versorgungsstrom - Max 30 mA
Versorgungsspannung - Max 1.95 V
Versorgungsspannung - Min 1.7 V
Fabrikpack-Menge 210
Maximale Taktfrequenz -
Maximale Betriebstemperatur + 85 C
Minimale Betriebstemperatur - 40 C

Auf Lager 210 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.52 $3.45 $3.38
Minimale: 1

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