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TH58BYG2S3HBAI6
| Hersteller: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Beschreibung: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | Benand™ |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Teilstatus | Active |
| Speicherformat | FLASH |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 67-VFBGA |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Auf Lager 338 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.13 | $5.03 | $4.93 |
Minimale: 1
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